당사는 GaN(질화갈륨) 기반 고출력 RF mmWave 반도체 및 증폭기 설계 기술을 보유한 

미국 반도체 기업 Nxbeam과 전략적 협력 양해각서(MOU)를 체결하였습니다. 

이번 협약을 통해 Nxbeam사의 고출력 GaN 반도체 설계 기술과 빅텍의 증폭기 및 시스템 기술을 연계함으로써 

국방 반도체 핵심 기술 확보와 기술 자립 기반을 강화하고, 

글로벌  전자전 및 위성 통신 분야에서 글로벌 수준의 기술 경쟁력을 확보해 나갈 예정입니다.

자세한 내용은 하기 링크를 참고하시기 바랍니다.

관련기사 링크

- 김경택 기자,  " 빅텍, 美 GaN 반도체 기업 'Nxbeam'과 MOU" , 뉴시스,    2026. 02. 27.

https://www.newsis.com/view/NISX20260227_0003528990