2. 특허 주요내용

     본 발명은 칩핑(chipping) 현상을 최소화 또는 방지하고,

     절연내력을 강화하며, 열전도성을 강화하여 방열이 우수한

     구조를 가지는 고전압 다이오드 모듈에 관한 것입니다.

 3. 특허권자: (주)빅텍

 4. 특허취득일자: 2010. 12. 15

 5. 특허활용계획

     가. 수입에 의존하고 있는 고전압 다이오드 모듈의 국산화

     나. 고전압전원공급장치(HVPS) 개발에 적용하여 원가 절감

           및 개발 기간 단축

 6. 확인일자: 2010. 12. 15